結(jié)合DRAM內(nèi)存、NAND閃存優(yōu)點(diǎn)的新一代內(nèi)存——UltraRAM終于要來了，如今正邁向量產(chǎn)。

據(jù)報道，UltraRAM的開發(fā)公司Quinas Technology過去一年持續(xù)與先進(jìn)晶圓產(chǎn)品制造商IQE合作，致力將UltraRAM內(nèi)存的制程推進(jìn)到工業(yè)化規(guī)模。

UltraRAM被視為結(jié)合DRAM與NAND優(yōu)點(diǎn)的新型存儲器，具備DRAM的高速傳輸、耐用度比NAND高4,000倍、超低能耗，及資料保存能力長達(dá)千年等特點(diǎn)。

報道指出，該設(shè)計之所以大幅進(jìn)展，主要是因?yàn)椴捎娩R化鎵（gallium antimonide）與銻化鋁（Aluminium antimonide）的磊晶技術(shù)獲得突破，而且為全球首創(chuàng)，將幫助UltraRAM真正進(jìn)入量產(chǎn)。

據(jù)悉，UltraRAM仰賴?yán)诰Ъ夹g(shù)，后續(xù)才會經(jīng)過曝光與蝕刻等半導(dǎo)體制程，來構(gòu)建內(nèi)存芯片結(jié)構(gòu)。

ps.磊晶技術(shù)簡單說就是在襯底（比如硅片、藍(lán)寶石）這個 “原子模板” 上，讓原子順著模板的晶格紋路定向生長，最終形成一層沒有 “拼接縫” 的高質(zhì)量單晶薄膜（磊晶層）的工藝.

IQE首席執(zhí)行官Jutta Meier指出：“我們已經(jīng)成功達(dá)成目標(biāo)，為 UltraRAM開發(fā)出可擴(kuò)展的磊晶制程，這是邁向封裝芯片工業(yè)化生產(chǎn)的重要里程碑。 這個項(xiàng)目代表了一個獨(dú)特機(jī)會，將下一代復(fù)合半導(dǎo)體材料在英國實(shí)現(xiàn)“。

Quinas首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人James Ashforth-Pook也表示，這次合作的成果是從大學(xué)研究邁向商業(yè)存儲器產(chǎn)品之旅的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

據(jù)悉，在接下來的商業(yè)化路徑中，Quinas與IQE計劃與各大晶圓廠與合作伙伴探討試產(chǎn)的可能性。