在先進(jìn)制程領(lǐng)域，最著名的廠商無疑就是臺(tái)積電，尤其是在3nm/2nm這樣的先進(jìn)制程上更是如此，相比較英特爾以及三星，臺(tái)積電的晶體管密度在性能上領(lǐng)先幅度還是相當(dāng)明顯的，然而現(xiàn)在看起來來自日本的晶圓代工國家隊(duì)Rapidus似乎在密度上已經(jīng)和臺(tái)積電不相上下，或許未來將會(huì)給臺(tái)積電形成一定的壓力。

Rapidus在近日分享了一份最新的2nm工藝制程的性能指標(biāo)，根據(jù)這份指標(biāo)Rapidus所擁有的2HP工藝的邏輯密度可以達(dá)到每平方毫米237.31MTr，基本上就是臺(tái)積電的2nm晶體管密度，而后者的晶體管密度大約是每平方毫米237.31MTr，當(dāng)然這里的指標(biāo)指的是理論晶體管密度，實(shí)際量產(chǎn)能到什么程度還不好說。此外無論是臺(tái)積電還是Rapidus，晶體管密度都要比英特爾更高。不過英特爾一般來說都是采用自己的計(jì)算方法，并不能直接進(jìn)行比較。

除了英特爾的18A工藝以及臺(tái)積電之外，三星2nm制程的具體指標(biāo)似乎還沒有確定，不過考慮到在3nm階段，三星工藝的晶體管密度要比臺(tái)積電落后25%，那么在2nm領(lǐng)域估計(jì)也有20%的落后，否則廠商們就將讓三星來負(fù)責(zé)先進(jìn)芯片的制造。

現(xiàn)在看起來臺(tái)積電強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手似乎已經(jīng)出現(xiàn)，不過Rapidus需要到2027年才能實(shí)現(xiàn)晶圓的量產(chǎn)，規(guī)模大約為25000塊，應(yīng)該在產(chǎn)能上還是與臺(tái)積電有著比較大的差距。