在原始晶圓生產(chǎn)中，切片的原始晶圓表面可能會有切割痕跡，而且由于其晶體結(jié)構(gòu)，邊緣非常脆弱。為了獲得光亮的表面光潔度和平滑的晶片邊緣，對晶圓邊緣拋光尤其重要。拋光完畢后，測量晶圓外緣的幾何形狀并檢測缺陷，可避免在后期階段因碎裂甚至破損而造成的生產(chǎn)損失，直接提高產(chǎn)量。

晶圓的純度、平整度、晶格結(jié)構(gòu)等參數(shù)會直接影響芯片的電學性能、可靠性和良品率。市面上常規(guī)晶圓的厚度一般在400微米至1200微米，在實際制造過程中，切片、倒角、環(huán)切、減薄等工藝均需要嚴格的幾何參數(shù)管控，自身晶相、機械作用、化學腐蝕、顆粒殘留等情況的出現(xiàn)都可能讓晶圓產(chǎn)生表面缺陷。

此外，晶圓并非完全的圓形，邊緣會切割出平角（Flat）或缺口（Notch），以便于后續(xù)工序中的定位和晶向確定。而晶圓邊緣輪廓測量水平與邊緣輪廓平整度息息相關(guān)，據(jù)行業(yè)預(yù)測，2030年相關(guān)領(lǐng)域全球市場份額可達21.4億美元。然而晶圓邊緣輪廓測量一直以來是國內(nèi)企業(yè)面臨的一個難題：一方面，要測試整個晶圓邊緣，就必須保持晶圓能被精準放置，并穩(wěn)定轉(zhuǎn)動；另一方面，測量系統(tǒng)需要實現(xiàn)自動對焦，確保晶圓邊緣各個角度都能清晰成像。此外，掃片速度和準度、測量速度等也都十分講究。

寧波蘭辰光電有限公司從事的正是晶圓等材料邊緣輪廓的非接觸式高精度測量。公司成立于2016年，是一家專業(yè)自動化檢測設(shè)備提供商。公司核心產(chǎn)品晶圓邊緣輪廓儀多項功能屬國內(nèi)首創(chuàng)，可實現(xiàn)同類型產(chǎn)品進口替代，憑借自己研發(fā)的關(guān)鍵技術(shù)，其生產(chǎn)的邊緣輪廓儀在多個尺寸、角度測量的重復(fù)精度均能達到0.002毫米，這套設(shè)備已成功獲評浙江省首臺（套）裝備。

2025年8月21日，中國粉體網(wǎng)將在蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會。屆時，來自寧波蘭辰光電有限公司總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)俞寶清將帶來《晶圓邊緣輪廓與缺陷檢測技術(shù)及裝備》的報告。帶你了解晶圓邊緣缺陷問題的解決方案。

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