2025年8月21日，由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會”在蘇州·白金漢爵大酒店隆重召開！本屆會議匯聚碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)的專家學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表共計300余人，圍繞著碳化硅單晶生長技術(shù)發(fā)展、晶體加工技術(shù)進(jìn)展及設(shè)備應(yīng)用、碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢等方面進(jìn)行了深入探討交流，共同展望了行業(yè)未來發(fā)展。

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會議現(xiàn)場

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中國粉體網(wǎng)會展事業(yè)部總經(jīng)理孔德宇先生主持開幕式

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會議精彩報告環(huán)節(jié)

陳雪江副教授介紹了碳化硅晶體生長技術(shù)研究現(xiàn)狀，基于SiC晶體外延生長中微觀原子的動力學(xué)過程，陳教授利用蒙特卡羅（KMC）模型研究了3C-SiC臺階生長的過程，并對臺階流動生長穩(wěn)定性機(jī)制研究進(jìn)行了介紹，對影響臺階生長模式的因素作了分析。

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西安交通大學(xué)能源與動力工程學(xué)院副教授陳雪江作《3C-SiC晶體臺階生長微觀機(jī)理研究》報告

史冬梅研究員介紹了近年來美國、歐盟、日本、韓國等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)在半導(dǎo)體特別是第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略、科技計劃項目部署及國家技術(shù)創(chuàng)新平臺建設(shè)等相關(guān)政策。梳理了主要國家和地區(qū)碳化硅半導(dǎo)體材料、外延及器件的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展情況，并對碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展態(tài)勢作了展望。

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國家自然科學(xué)基金委員會高技術(shù)研究發(fā)展中心研究員、原技術(shù)總師史冬梅作《碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及態(tài)勢》報告

周駿峰經(jīng)理聚焦當(dāng)下中國新能源汽車的市場背景，從材料價格、封裝技術(shù)到產(chǎn)品應(yīng)用等方面分析了碳化硅功率器件的市場應(yīng)用進(jìn)展，并展示芯塔電子在該領(lǐng)域的創(chuàng)新實踐。

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安徽芯塔電子科技有限公司高級市場經(jīng)理周駿峰作《車用SiC功率器件市場分析與展望》報告

劉曉星經(jīng)理從碳化硅襯底分類、碳化硅單晶生長工藝、襯底晶片加工工藝及襯底尺寸發(fā)展等方面介紹了碳化硅單晶襯底的發(fā)展現(xiàn)狀，隨后分別對導(dǎo)電N型襯底和高純半絕緣襯底的市場應(yīng)用現(xiàn)狀作了分析。

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山西爍科晶體有限公司市場經(jīng)理劉曉星作《碳化硅單晶襯底材料的發(fā)展及展望》報告

俞寶清總經(jīng)理從晶圓襯底生產(chǎn)工藝的角度出發(fā)，介紹了倒角工藝在晶圓襯底制備中的作用，并對晶圓輪廓所具備的特性作了分析，講述了晶圓邊緣輪廓的檢測方法和手段，最后展示了蘭辰光電在該領(lǐng)域的技術(shù)突破及公司產(chǎn)品市場應(yīng)用情況。

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寧波蘭辰光電有限公司總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)俞寶清作《晶圓邊緣輪廓與缺陷檢測技術(shù)及裝備》報告

大尺寸半導(dǎo)體單晶具有超硬/超脆的特點(diǎn)，切磨拋加工困難，損耗大，成本高，如何提高質(zhì)量、產(chǎn)片率是行業(yè)發(fā)展重點(diǎn)。修向前教授在報告中介紹了幾種常用的碳化硅切片加工技術(shù)和新型切割技術(shù)，并將線切割和激光切割技術(shù)進(jìn)行了對比，詳細(xì)闡述了激光切割技術(shù)在碳化硅單晶切割中的應(yīng)用現(xiàn)狀以及技術(shù)進(jìn)展，最后介紹了目前其團(tuán)隊在半導(dǎo)體單晶（單晶/多晶金剛石、氮化鎵、氧化鎵）激光切割技術(shù)的研究進(jìn)展。

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南京大學(xué)修向前教授作《大尺寸半導(dǎo)體單晶激光切片技術(shù)研究》報告

超低阻碳化硅鍵合集成技術(shù)是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要創(chuàng)新。劉福超副總經(jīng)理介紹了超低阻碳化硅鍵合技術(shù)的基礎(chǔ)原理和特點(diǎn)，并舉例詳細(xì)說明了超低阻碳化硅鍵合材料應(yīng)用的5大優(yōu)勢。隨后闡述了碳化硅鍵合材料在散熱、光學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展，最后介紹了青禾半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展情況。

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青禾晶元半導(dǎo)體科技(集團(tuán))有限責(zé)任公司聯(lián)合創(chuàng)始人&副總經(jīng)理劉福超作《超低阻碳化硅鍵合集成技術(shù)應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化》報告

王巍介紹了碳化硅功率器件和碳化硅襯底的市場進(jìn)展情況，指出碳化硅市場所面臨的內(nèi)卷、降本、產(chǎn)品升級和地緣關(guān)系等四大痛點(diǎn)，介紹了近年全球碳化硅行業(yè)的局勢變化，分析了國內(nèi)外碳化硅襯底、器件的產(chǎn)能、價格變動等概況。隨后羅列了全球碳化硅襯底廠商12英寸技術(shù)進(jìn)展，分享了碳化硅未來的新興應(yīng)用領(lǐng)域，特別是AR眼鏡，最后對碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展作了展望。

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河北同光半導(dǎo)體股份有限公司銷售副總王巍作《挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存--碳化硅材料市場發(fā)展現(xiàn)狀及展望》報告

全自動碳化硅晶片腐蝕爐在碳化硅晶體缺陷檢測行業(yè)具有重要作用。趙聰經(jīng)理簡單介紹了碳化硅材料發(fā)展概況，分享了碳化硅晶片腐蝕的原理、應(yīng)用及缺陷檢測方法。最后展示了晶馳機(jī)電研發(fā)的“全自動碳化硅腐蝕爐”的實踐案例及產(chǎn)品亮點(diǎn)。

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杭州晶馳機(jī)電有限公司研發(fā)經(jīng)理趙聰作《全自動碳化硅晶片腐蝕爐在碳化硅晶體缺陷檢測行業(yè)的應(yīng)用》報告

蔣志強(qiáng)總監(jiān)揭示了碳化硅行業(yè)所面臨的痛點(diǎn)，闡述了溶液法生長碳化硅單晶技術(shù)的發(fā)展態(tài)勢及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。隨后介紹了臻晶半導(dǎo)體在溶液法生長碳化硅單晶產(chǎn)業(yè)進(jìn)展概況及設(shè)備研發(fā)進(jìn)展。最后分析了溶液法生長碳化硅單晶產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵問題，并提出解決對策。

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常州臻晶半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理陸敏（蔣志強(qiáng)代）作《液相法碳化硅晶體生長態(tài)勢及產(chǎn)業(yè)化》報告

張澤芳總經(jīng)理詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體襯底加工工藝發(fā)展概況，分享了碳化硅的CMP機(jī)制，針對碳化硅襯底加工特點(diǎn)，介紹了博來納潤碳化硅襯底CMP加工工藝及相關(guān)產(chǎn)品。

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浙江博來納潤電子材料有限公司總經(jīng)理張澤芳博士作《碳化硅CMP材料的整體解決方案》報告

陳飛簡單介紹了碳化硅行業(yè)概況，分析了碳化硅加工場景中遇到的問題，指出碳化硅加工過程出現(xiàn)問題中很大部分出現(xiàn)在冷卻液環(huán)節(jié)，并分享了采用宇佳智能整套過濾方案來解決冷卻液穩(wěn)定性問題，并展示了公司的整體過濾方案的過濾效果及客戶使用案例。

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江蘇宇佳智能裝備有限公司執(zhí)行董事陳飛作《提高SiC晶體研磨效率和表面質(zhì)量》報告

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展會現(xiàn)場精彩一瞬

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展會現(xiàn)場

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參會人員面對面交流

（16英寸碳化硅襯底，日本廠商提供）

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參展部分產(chǎn)品

小結(jié)

本屆會議充分體現(xiàn)了業(yè)界對SiC半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)發(fā)展的高度關(guān)注和迫切需求。未來，隨著產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新的深化，期待業(yè)界同仁攜手共進(jìn)，攻克技術(shù)難關(guān)，優(yōu)化制造工藝，降低成本，共同推動中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁上新臺階，為全球綠色能源轉(zhuǎn)型和信息技術(shù)發(fā)展做出更大貢獻(xiàn)。

（中國粉體網(wǎng)蘇州報道

/空青）

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