來(lái)源：市場(chǎng)資訊

（來(lái)源：伏白的交易筆記）

一. 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體是用于電能轉(zhuǎn)換、控制和保護(hù)的半導(dǎo)體器件，用于高電壓、大電流場(chǎng)景，是電力電子系統(tǒng)的核心。

1.1 作用

（1）電能轉(zhuǎn)換：AC-DC（交流轉(zhuǎn)直流）、DC-DC（直流轉(zhuǎn)直流）、DC-AC（直流轉(zhuǎn)交流）、AC-AC（交流轉(zhuǎn)交流）。

（2）電能控制：通過(guò)控制器件的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓、電流、頻率的精準(zhǔn)調(diào)控。

（3）電路保護(hù)：電路出現(xiàn)異常（如過(guò)流/過(guò)壓/短路）時(shí)，可快速關(guān)斷，防止設(shè)備損壞。

1.2 分類

（1）一代：二極管（低壓領(lǐng)域）、晶閘管（高壓領(lǐng)域）；由簡(jiǎn)單的PN結(jié)組成，開(kāi)關(guān)速度慢。

（2）二代：MOSFET（中低壓領(lǐng)域）、IGBT（高壓領(lǐng)域），為目前主要品種，市場(chǎng)占比40%、25%。

二. MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）

（1）特點(diǎn)：采用柵極-氧化層-溝道結(jié)構(gòu)，開(kāi)關(guān)速度極快、高壓下通態(tài)損耗大，適用于中低壓場(chǎng)景。

（2）應(yīng)用：消費(fèi)電子（手機(jī)快充、筆記本電源）、汽車（BMS電池管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車燈驅(qū)動(dòng)）、工業(yè)（電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS）。

（3）海外頭部：英飛凌、安森美、東芝、意法半導(dǎo)體。

（4）國(guó)內(nèi)頭部：華潤(rùn)微、聞泰科技、東微半導(dǎo)。

三. IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）

（1）特點(diǎn)：MOSFET柵極+BJT（雙極型晶體管）結(jié)構(gòu)，開(kāi)關(guān)速度中等、高壓下通態(tài)損耗低、適用于高壓大電流場(chǎng)景。

（2）分類：

中壓IGBT（600V-1200V）：用于新能源汽車（電控系統(tǒng)）、新能源、工業(yè)（變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器）。

超高壓IGBT（1700V以上）：用于軌交、電網(wǎng)（電網(wǎng)無(wú)功補(bǔ)償裝置SVG）。

（3）海外頭部：英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)。

（4）國(guó)內(nèi)頭部：斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電。